Южнокорейская компания Samsung сообщила о начале массового производства чипов памяти LPDDR4X 16 Гбит на втором поколении 10 нм техпроцесса, которые появятся на рынке уже в в конце этого или начале 2019 года. Новых техпроцесс позволяет уменьшить энергопотребление на 10%, при этом сохранив пропускную способность памяти в 4 266 Мбит/сек.

Samsung заявляет, что использование четырех чипов новой памяти (8 Гб) позволит работать на скорости до 34.1 Гб/сек. Кроме того, толщина чипа уменьшена более чем на 20%, что позволит производителям создавать более тонкие, но при этом более производительные и энергоэффективные устройства, которые дольше живут от одного заряда батареи. Вполне возможно, что новая LPDDR4X-память от Samsung появится уже в следующем флагмане компании Galaxy S10. Производителям будут доступны конфигурации на 4 Гб, 6 Гб и 8 Гб. Иными словами, быстрой памятью Samsung будут комплектоваться не только сверхдорогие флагманы, но и более доступные устройства.

Напомним, что в этом месяце Samsung также начала производство чипов памяти LPDDR5 с пропускной скоростью в 6 400 Мбит/сек. Эта память также основана на втором поколении 10 нм техпроцесса. Чтобы удовлетворить растущий спрос на оперативную память, компания Samsung также запустила новую линию производства DRAM в южнокорейском городе Пхентхэк.

Источник: Samsung.